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सीवीडी सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) लेपित ग्रेफाइट आरटीपी आरटीए कैरियर
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सीवीडी सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) लेपित ग्रेफाइट आरटीपी आरटीए कैरियर

VETEK CVD सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) कोटेड ग्रेफाइट RTP RTA कैरियर को सेमीकंडक्टर निर्माण में उपयोग किए जाने वाले रैपिड थर्मल प्रोसेसिंग (RTP) और रैपिड थर्मल एनीलिंग (RTA) सिस्टम के लिए डिज़ाइन किया गया है। घने सीवीडी सीआईसी कोटिंग के साथ उच्च शुद्धता वाले आइसोस्टैटिक ग्रेफाइट से निर्मित, यह उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता, उत्कृष्ट तापमान एकरूपता, बेहतर रासायनिक प्रतिरोध और अल्ट्रा-लो कण उत्पादन प्रदान करता है। बार-बार तीव्र ताप और शीतलन चक्रों का सामना करने के लिए इंजीनियर किया गया, वाहक सिलिकॉन वेफर एनीलिंग और अन्य उच्च तापमान अर्धचालक अनुप्रयोगों के लिए विश्वसनीय वेफर समर्थन और स्थिर प्रक्रिया प्रदर्शन सुनिश्चित करता है।

उत्पाद की विशेषताएँ

· मुख्य उपकरण:रैपिड थर्मल एनीलिंग (आरटीए) और रैपिड थर्मल प्रोसेसिंग (आरटीपी) सिस्टम के लिए डिज़ाइन किया गया।

· प्रथमry Aआवेदन: सेमीकंडक्टर वेफर एनीलिंग प्रक्रियाओं के लिए अनुकूलित।

· सेशनeरेटिंग तेतापमान:200°C से 700°C तक स्थिर संचालन।

· Eएक्ससीवहाँख़राब एकरूपता: लगातार वेफर प्रसंस्करण के लिए समान ताप वितरण सुनिश्चित करता है।

· निम्न कणGपीढ़ी: सघन सीवीडी SiC कोटिंग संदूषण को कम करती है और उत्पादन उपज में सुधार करती है।

· बेहतर रासायनिक प्रतिरोध:थर्मल प्रसंस्करण के दौरान ऑक्सीकरण और संक्षारक प्रक्रिया गैसों के प्रति प्रतिरोधी।

· उत्कृष्टजी थर्मअल शॉक प्रतिरोध: बार-बार तीव्र तापन और शीतलन चक्रों के माध्यम से संरचनात्मक अखंडता बनाए रखता है।

· लंबी सेवा जीवन:पहनने के लिए प्रतिरोधी SiC कोटिंग घटक के जीवनकाल को महत्वपूर्ण रूप से बढ़ाती है और रखरखाव की लागत को कम करती है।

· रिवाज़उत्पादन:विभिन्न आरटीपी/आरटीए उपकरणों से मेल खाने के लिए विभिन्न आकारों और कॉन्फ़िगरेशन में उपलब्ध है।


तकनीकी निर्देश

CVD SiC कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण
संपत्ति
विशिष्ट मूल्य
क्रिस्टल की संरचना
एफसीसी β चरण पॉलीक्रिस्टलाइन, मुख्य रूप से (111) उन्मुख
घनत्व
3.21 ग्राम/सेमी³
कठोरता
2500 विकर्स कठोरता (500 ग्राम भार)
अनाज आकार
2-10 μm
रासायनिक शुद्धता
99.99995%
ताप की गुंजाइश
640 J·kg⁻¹·K⁻¹
उर्ध्वपातन तापमान
2700°C
आनमनी सार्मथ्य
415 एमपीए (आरटी, 4-पॉइंट बेंडिंग)
यंग मापांक
430 GPa (4-बिंदु झुकने, 1300°C)
ऊष्मीय चालकता
300 W·m⁻¹·K⁻¹
थर्मल विस्तार गुणांक (सीटीई)
4.5 × 10⁻⁶ K⁻¹

अनुप्रयोग

·रैपिड थर्मल एनीलिंग (आरटीए)

· रैपिड थर्मल प्रोसेसिंग (आरटीपी)

· सिलिकॉन वेफर एनीलिंग

· डोपेंट सक्रियण

· ऑक्सीकरण

· प्रसार

·कंपाउंड सेमीकंडक्टर विनिर्माण

·एमईएमएस निर्माण

·पावर सेमीकंडक्टर प्रसंस्करण


अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न

1. आरटीपी/आरटीए कैरियर क्या है?

आरटीपी/आरटीए कैरियर एक वेफर सपोर्ट घटक है जिसका उपयोग रैपिड थर्मल प्रोसेसिंग और रैपिड थर्मल एनीलिंग सिस्टम के अंदर किया जाता है। यह पूरे थर्मल चक्र में एक समान गर्मी हस्तांतरण प्रदान करते हुए अर्धचालक वेफर्स को सुरक्षित रूप से रखता है।

2. CVD SiC कोटिंग को प्राथमिकता क्यों दी जाती है?

नंगे ग्रेफाइट की तुलना में, सीवीडी सीआईसी कोटिंग बेहतर ऑक्सीकरण प्रतिरोध, कम कण उत्पादन, बेहतर रासायनिक स्थिरता और काफी लंबी सेवा जीवन प्रदान करती है।

3. क्या VETEK अनुकूलित आरटीपी/आरटीए वाहक प्रदान कर सकता है?

हाँ। VETEK ग्राहक चित्र के आधार पर अनुकूलित RTP/RTA वाहक प्रदान करता है।


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