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वेफर प्रसंस्करण के लिए सिलिकॉन कार्बाइड कैंटिलीवर पैडल
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वेफर प्रसंस्करण के लिए सिलिकॉन कार्बाइड कैंटिलीवर पैडल

वेटेक्सेमिकॉन के सिलिकॉन कार्बाइड कैंटिलीवर पैडल को सेमीकंडक्टर निर्माण में उन्नत वेफर प्रसंस्करण के लिए इंजीनियर किया गया है। उच्च शुद्धता वाले SiC से बना, यह उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता, बेहतर यांत्रिक शक्ति और उच्च तापमान और संक्षारक वातावरण के लिए उत्कृष्ट प्रतिरोध प्रदान करता है। ये सुविधाएँ सटीक वेफर हैंडलिंग, विस्तारित सेवा जीवन और एमओसीवीडी, एपिटेक्सी और प्रसार जैसी प्रक्रियाओं में विश्वसनीय प्रदर्शन सुनिश्चित करती हैं। परामर्श के लिए आपका स्वागत है.

सामान्य उत्पाद जानकारी

उत्पत्ति का स्थान:
चीन
ब्रांड का नाम:
मेरा प्रतिद्वंद्वी
मॉडल संख्या:
SiC पैडल-01
प्रमाणीकरण:
ISO9001


उत्पाद व्यवसाय की शर्तें

न्यूनतम आदेश मात्रा:
बातचीत के अधीन
कीमत:
अनुकूलित कोटेशन के लिए संपर्क करें
पैकेजिंग विवरण:
मानक निर्यात पैकेज
डिलीवरी का समय:
डिलीवरी का समय: ऑर्डर की पुष्टि के 30-45 दिन बाद
भुगतान की शर्तें:
टी/टी
आपूर्ति की योग्यता:
500यूनिट/महीना


आवेदन पत्र: वेटेक्सेमिकॉन SiC पैडल उन्नत सेमीकंडक्टर निर्माण में प्रमुख घटक हैं, जिन्हें SiC पावर डिवाइस एपिटैक्सी, उच्च तापमान एनीलिंग और सिलिकॉन-आधारित चिप्स के लिए गेट ऑक्सीकरण जैसी मुख्य प्रक्रियाओं के लिए डिज़ाइन किया गया है।


सेवाएँ जो प्रदान की जा सकती हैं: ग्राहक एप्लिकेशन परिदृश्य विश्लेषण, मिलान सामग्री, तकनीकी समस्या समाधान।


कंपनी प्रोफाइल:वेटेक्सेमिकॉन के पास 2 प्रयोगशालाएँ हैं, जिनमें अनुसंधान एवं विकास और उत्पादन, परीक्षण और सत्यापन क्षमताओं के साथ 20 वर्षों के सामग्री अनुभव वाले विशेषज्ञों की एक टीम है।


वेटेक्सेमिकॉन SiC पैडल कोर लोड-बेयरिंग घटक हैं जो विशेष रूप से सेमीकंडक्टर और सिलिकॉन कार्बाइड चिप निर्माण में उच्च तापमान प्रक्रियाओं के लिए डिज़ाइन किए गए हैं। उच्च-शुद्धता, उच्च-घनत्व सिलिकॉन कार्बाइड से सटीक रूप से निर्मित, हमारे पैडल 1200 डिग्री सेल्सियस से अधिक कठोर वातावरण में असाधारण थर्मल स्थिरता और बेहद कम धातु संदूषण प्रदर्शित करते हैं। वे प्रसार और ऑक्सीकरण जैसी महत्वपूर्ण प्रक्रियाओं के दौरान प्रभावी ढंग से सुचारू और स्वच्छ वेफर परिवहन सुनिश्चित करते हैं, जो प्रक्रिया उपज और उपकरण प्रदर्शन में सुधार के लिए एक विश्वसनीय आधार के रूप में कार्य करते हैं।


तकनीकी मापदंड

परियोजना
पैरामीटर
मुख्य सामग्री
उच्च शुद्धता प्रतिक्रिया-बंधित SiC / CVD SiC
अधिकतम परिचालन तापमान
1600°C (निष्क्रिय या ऑक्सीकरण वातावरण में)
धातु अशुद्धता सामग्री
<50 पीपीएम (निम्न शुद्धता ग्रेड अनुरोध पर उपलब्ध)
घनत्व
≥ 3.02 ग्राम/सेमी³
झुकने की शक्ति
≥ 350 एमपीए
थर्मल विस्तार का गुणांक
4.5×10-6/K (20-1000°C)
सतह का उपचार
उच्च परिशुद्धता पीसने, सतह खत्म Ra 0.4μm या उससे कम तक पहुंच सकता है


Veteksemi SiC पैडल के मुख्य लाभ


 ● परम शुद्धता, चिप उपज की रक्षा

हम सिलिकॉन कार्बाइड कच्चे माल का उत्पादन करने के लिए उन्नत प्रक्रियाओं का उपयोग करते हैं, जिससे न्यूनतम धातु संबंधी अशुद्धियाँ सुनिश्चित होती हैं। Veteksemi SiC पैडल विस्तारित अवधि के लिए उच्च तापमान वाले वातावरण में अशुद्धता वर्षा को प्रभावी ढंग से दबाते हैं, संवेदनशील वेफर्स के संदूषण को रोकते हैं और स्रोत से उच्च उपज उत्पादन सुनिश्चित करते हैं।


● अत्यधिक चुनौतियों का सामना करने के लिए उत्कृष्ट ताप प्रतिरोध

सिलिकॉन कार्बाइड में स्वयं उच्च तापमान प्रतिरोधी गुण होते हैं जो अधिकांश सिरेमिक सामग्रियों से बेहतर होते हैं। हमारे पैडल आसानी से 1600 डिग्री सेल्सियस तक प्रक्रिया तापमान को संभाल सकते हैं, इसमें बेहद कम थर्मल विस्तार गुणांक होता है, और बार-बार तेजी से हीटिंग और शीतलन चक्र के दौरान असाधारण थर्मल शॉक प्रतिरोध प्रदर्शित करते हैं, विरूपण और क्रैकिंग के जोखिम को कम करते हैं और सेवा जीवन का विस्तार करते हैं।


● स्थिर संचरण सुनिश्चित करने के लिए असाधारण यांत्रिक शक्ति

अत्यधिक उच्च कठोरता और कठोरता के साथ, यह पूरी तरह से वेफर्स से भरे होने पर भी उत्कृष्ट रूपात्मक स्थिरता बनाए रखता है। यह स्वचालित स्थानांतरण के दौरान वेफर्स का सटीक संरेखण सुनिश्चित करता है, जिससे उन्हें भट्ठी में आसानी से प्रवेश करने और बाहर निकलने की अनुमति मिलती है, जिससे कंपन या विचलन के कारण टूटने का जोखिम कम हो जाता है।


● उत्कृष्ट संक्षारण प्रतिरोध, विस्तारित सेवा जीवन

VetekSamicon SiC पैडल आमतौर पर ऑक्सीकरण और प्रसार प्रक्रियाओं में पाए जाने वाले ऑक्सीजन और हाइड्रोजन जैसे संक्षारक वातावरण की उपस्थिति में मजबूत रासायनिक निष्क्रियता प्रदर्शित करते हैं, जिसमें सतह का क्षरण दर बेहद कम होता है। यह दीर्घकालिक उपयोग के दौरान स्थिर आयाम और प्रदर्शन सुनिश्चित करता है, जिससे आपके स्वामित्व की कुल लागत काफी कम हो जाती है।


मुख्य अनुप्रयोग फ़ील्ड

आवेदन दिशा
विशिष्ट परिदृश्य
सिलिकॉन कार्बाइड पावर डिवाइस विनिर्माण
SiC एपिटैक्सी, उच्च तापमान आयन आरोपण और एनीलिंग
तीसरी पीढ़ी के अर्धचालक
एमओसीवीडी प्रीट्रीटमेंट और गाएन-ऑन-सी और अन्य सामग्रियों की एनीलिंग
असतत उपकरण
IGBT, MOSFET, आदि के लिए उच्च तापमान प्रसार प्रक्रिया।

पारिस्थितिक श्रृंखला सत्यापन समर्थन

वेटेक्सेमिकॉन SiC पैडल्स की पारिस्थितिक श्रृंखला सत्यापन उत्पादन के लिए कच्चे माल को कवर करता है, अंतरराष्ट्रीय मानक प्रमाणीकरण पारित कर चुका है, और सेमीकंडक्टर और नई ऊर्जा क्षेत्रों में इसकी विश्वसनीयता और स्थिरता सुनिश्चित करने के लिए कई पेटेंट प्रौद्योगिकियां हैं।


विस्तृत तकनीकी विशिष्टताओं, श्वेत पत्रों, या नमूना परीक्षण व्यवस्थाओं के लिए, कृपया हमारी तकनीकी सहायता टीम से संपर्क करें ताकि पता लगाया जा सके कि वेटेक्सेमिकॉन आपकी प्रक्रिया दक्षता को कैसे बढ़ा सकता है।


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    +86-18069220752

  • ईमेल

    anny@veteksemi.com

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