VeTek सेमीकंडक्टर से CVD SiC लेपित RTP ससेप्टर सेमीकंडक्टर निर्माण में उपयोग किए जाने वाले रैपिड थर्मल प्रोसेसिंग (RTP) और रैपिड थर्मल एनीलिंग (RTA) उपकरण का काम करता है। The substrate is machined from high‑purity isostatic graphite, over which a dense CVD silicon carbide (SiC) layer is deposited. यह निर्माण उच्च तापीय चालकता, मजबूत रासायनिक जड़ता और बार-बार उच्च तापमान चक्रण के तहत निरंतर आयामी स्थिरता उत्पन्न करता है।
थर्मल एकरूपता - सामग्री की उच्च तापीय प्रसारशीलता तेजी से, स्थानिक रूप से समान गर्मी हस्तांतरण को सक्षम बनाती है, जो दोहराए जाने योग्य वेफर तापमान प्रोफाइल का समर्थन करती है।
उच्च शुद्धता स्तर - सीवीडी SiC कोटिंग 99.99995% की शुद्धता प्राप्त करती है, जो महत्वपूर्ण प्रक्रिया चरणों में मोबाइल आयन और धातु संदूषण जोखिमों को प्रभावी ढंग से कम करती है।
रासायनिक स्थायित्व - कोटिंग ऊंचे तापमान के तहत हैलोजन आधारित गैसों सहित संक्षारक प्रजातियों के लिए मजबूत प्रतिरोध प्रदर्शित करती है। विस्तारित सेवा अंतराल - बढ़ी हुई ऑक्सीकरण और पहनने के प्रतिरोध कम प्रतिस्थापन और कम टूल डाउनटाइम में अनुवाद करते हैं।
डिज़ाइन लचीलापन - विशिष्ट आरटीपी चैम्बर ज्यामिति और वेफर आकार से मेल खाने के लिए आयाम और कॉन्फ़िगरेशन को अनुकूलित किया जा सकता है।
अनुप्रयोग
रैपिड थर्मल प्रोसेसिंग (आरटीपी)
रैपिड थर्मल एनीलिंग (आरटीए)
डोपेंट सक्रियण ऑक्सीकरण और एनीलिंग चरण
इंटीग्रेटेड सर्किट (आईसी) विनिर्माण
पावर डिवाइस निर्माणतकनीकी
विशेष विवरण
संपत्ति
विशिष्ट मूल्य
लेपित सामग्री
सीवीडी सिलिकॉन कार्बाइड (β-SiC)
पवित्रता
99.99995%
घनत्व
3.21 ग्राम/सेमी³
कठोरता
2500 एच.वी
ऊष्मीय चालकता
300 डब्लू/एम·के
थर्मल विस्तार
4.5 × 10⁻⁶ K⁻¹
आनमनी सार्मथ्य
415 एमपीए
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