एमओसीवीडी प्रौद्योगिकी

VeTek सेमीकंडक्टर के पास MOCVD टेक्नोलॉजी स्पेयर पार्ट्स में लाभ और अनुभव है।

एमओसीवीडी, मेटल-ऑर्गेनिक केमिकल वेपर डिपोजिशन (धातु-कार्बनिक रासायनिक वाष्प जमाव) का पूरा नाम, इसे मेटल-ऑर्गेनिक वेपर फेज़ एपिटैक्सी भी कहा जा सकता है। ऑर्गेनोमेटैलिक यौगिक धातु-कार्बन बंध वाले यौगिकों का एक वर्ग है। इन यौगिकों में धातु और कार्बन परमाणु के बीच कम से कम एक रासायनिक बंधन होता है। धातु-कार्बनिक यौगिकों को अक्सर अग्रदूत के रूप में उपयोग किया जाता है और विभिन्न जमाव तकनीकों के माध्यम से सब्सट्रेट पर पतली फिल्म या नैनोस्ट्रक्चर बना सकते हैं।

धातु-कार्बनिक रासायनिक वाष्प जमाव (एमओसीवीडी तकनीक) एक सामान्य एपिटैक्सियल विकास तकनीक है, एमओसीवीडी तकनीक का व्यापक रूप से सेमीकंडक्टर लेजर और एलईडी के निर्माण में उपयोग किया जाता है। विशेष रूप से जब एलईडी का निर्माण होता है, तो MOCVD गैलियम नाइट्राइड (GaN) और संबंधित सामग्रियों के उत्पादन के लिए एक प्रमुख तकनीक है।

एपिटैक्सी के दो मुख्य रूप हैं: तरल चरण एपिटैक्सी (एलपीई) और वाष्प चरण एपिटैक्सी (वीपीई)। गैस चरण एपिटैक्सी को आगे धातु-कार्बनिक रासायनिक वाष्प जमाव (एमओसीवीडी) और आणविक बीम एपिटैक्सी (एमबीई) में विभाजित किया जा सकता है।

विदेशी उपकरण निर्माताओं का प्रतिनिधित्व मुख्य रूप से ऐक्सट्रॉन और वीको द्वारा किया जाता है। एमओसीवीडी प्रणाली लेजर, एलईडी, फोटोइलेक्ट्रिक घटकों, बिजली, आरएफ उपकरणों और सौर कोशिकाओं के निर्माण के लिए प्रमुख उपकरणों में से एक है।

हमारी कंपनी द्वारा निर्मित MOCVD प्रौद्योगिकी स्पेयर पार्ट्स की मुख्य विशेषताएं:

1) उच्च घनत्व और पूर्ण एनकैप्सुलेशन: समग्र रूप से ग्रेफाइट बेस उच्च तापमान और संक्षारक कार्य वातावरण में है, सतह को पूरी तरह से लपेटा जाना चाहिए, और एक अच्छी सुरक्षात्मक भूमिका निभाने के लिए कोटिंग में अच्छा घनत्व होना चाहिए।

2) अच्छी सतह समतलता: क्योंकि एकल क्रिस्टल विकास के लिए उपयोग किए जाने वाले ग्रेफाइट बेस के लिए बहुत अधिक सतह समतलता की आवश्यकता होती है, कोटिंग तैयार होने के बाद आधार की मूल समतलता बनाए रखी जानी चाहिए, यानी कोटिंग परत एक समान होनी चाहिए।

3) अच्छी बॉन्डिंग ताकत: ग्रेफाइट बेस और कोटिंग सामग्री के बीच थर्मल विस्तार के गुणांक में अंतर को कम करें, जो प्रभावी रूप से दोनों के बीच बॉन्डिंग ताकत में सुधार कर सकता है, और उच्च और निम्न तापमान गर्मी का अनुभव करने के बाद कोटिंग को तोड़ना आसान नहीं है चक्र।

4) उच्च तापीय चालकता: उच्च गुणवत्ता वाली चिप वृद्धि के लिए ग्रेफाइट बेस को तीव्र और समान गर्मी प्रदान करने की आवश्यकता होती है, इसलिए कोटिंग सामग्री में उच्च तापीय चालकता होनी चाहिए।

5) उच्च गलनांक, उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध, संक्षारण प्रतिरोध: कोटिंग उच्च तापमान और संक्षारक कार्य वातावरण में स्थिर रूप से काम करने में सक्षम होनी चाहिए।

4 इंच सब्सट्रेट रखें
बढ़ती एलईडी के लिए नीला-हरा एपिटैक्सी
प्रतिक्रिया कक्ष में रखा गया
वेफर के साथ सीधा संपर्क 4 इंच सब्सट्रेट रखें
यूवी एलईडी एपिटैक्सियल फिल्म को विकसित करने के लिए उपयोग किया जाता है
प्रतिक्रिया कक्ष में रखा गया
वेफर के साथ सीधा संपर्क वीको K868/वीको K700 मशीन
सफेद एलईडी एपिटैक्सी/नीला-हरा एलईडी एपिटैक्सी VEECO उपकरण में उपयोग किया जाता है
एमओसीवीडी एपिटैक्सी के लिए
SiC कोटिंग सुसेप्टर ऐक्सट्रॉन टीएस उपकरण
गहरी पराबैंगनी एपिटैक्सी
2 इंच सब्सट्रेट वीको उपकरण
लाल-पीली एलईडी एपिटैक्सी
4-इंच वेफर सब्सट्रेट TaC लेपित सुसेप्टर
(SiC Epi/UV LED रिसीवर) SiC लेपित सुसेप्टर
(ALD/Si Epi/LED MOCVD Susceptor)