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झरझरा टैंटलम कार्बाइड (TaC) लेपित ग्रेफाइट रिंग

झरझरा टैंटलम कार्बाइड (TaC) लेपित ग्रेफाइट रिंग

VETEK पोरस TaC कोटेड ग्रेफाइट रिंग एक थर्मल फील्ड घटक है जिसे PVT (भौतिक वाष्प परिवहन) प्रक्रिया के माध्यम से SiC सिंगल क्रिस्टल विकास के लिए इंजीनियर किया गया है। यह उच्च शुद्धता वाले झरझरा ग्रेफाइट से निर्मित होता है और सीवीडी तकनीक का उपयोग करके टैंटलम कार्बाइड (टीएसी) के साथ लेपित होता है। डिज़ाइन उच्च तापमान स्थिरता, रासायनिक लचीलापन और नियंत्रित थर्मल क्षेत्र प्रदर्शन को लक्षित करता है। संदूषण को कम करके और प्रक्रिया की स्थिरता का समर्थन करके, यह घटक प्रतिलिपि प्रस्तुत करने योग्य SiC क्रिस्टल विकास परिणामों में योगदान देता है।
सीवीडी सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) लेपित ग्रेफाइट आरटीपी आरटीए कैरियर

सीवीडी सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) लेपित ग्रेफाइट आरटीपी आरटीए कैरियर

VETEK CVD सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) कोटेड ग्रेफाइट RTP RTA कैरियर को सेमीकंडक्टर निर्माण में उपयोग किए जाने वाले रैपिड थर्मल प्रोसेसिंग (RTP) और रैपिड थर्मल एनीलिंग (RTA) सिस्टम के लिए डिज़ाइन किया गया है। घने सीवीडी सीआईसी कोटिंग के साथ उच्च शुद्धता वाले आइसोस्टैटिक ग्रेफाइट से निर्मित, यह उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता, उत्कृष्ट तापमान एकरूपता, बेहतर रासायनिक प्रतिरोध और अल्ट्रा-लो कण उत्पादन प्रदान करता है। बार-बार तीव्र ताप और शीतलन चक्रों का सामना करने के लिए इंजीनियर किया गया, वाहक सिलिकॉन वेफर एनीलिंग और अन्य उच्च तापमान अर्धचालक अनुप्रयोगों के लिए विश्वसनीय वेफर समर्थन और स्थिर प्रक्रिया प्रदर्शन सुनिश्चित करता है।
सीवीडी टैंटलम कार्बाइड (TaC) लेपित सुसेप्टर

सीवीडी टैंटलम कार्बाइड (TaC) लेपित सुसेप्टर

VETEK CVD TaC कोटेड ससेप्टर एक उच्च शुद्धता वाले आइसोस्टैटिक ग्रेफाइट सब्सट्रेट को घने CVD टैंटलम कार्बाइड (TaC) कोटिंग के साथ जोड़ता है ताकि सेमीकंडक्टर एपिटॉक्सी की मांग के लिए असाधारण थर्मल स्थिरता, संक्षारण प्रतिरोध और कम कण उत्पादन प्रदान किया जा सके। SiC, GaN और AlN एपिटैक्सियल विकास के लिए डिज़ाइन किया गया, यह संदूषण को कम करता है, वेफर तापमान एकरूपता में सुधार करता है, और उच्च तापमान MOCVD और CVD प्रक्रियाओं में घटक सेवा जीवन का विस्तार करता है।
सीवीडी सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) लेपित आरटीपी सुसेप्टर

सीवीडी सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) लेपित आरटीपी सुसेप्टर

VeTek सेमीकंडक्टर से CVD SiC लेपित RTP ससेप्टर सेमीकंडक्टर निर्माण में उपयोग किए जाने वाले रैपिड थर्मल प्रोसेसिंग (RTP) और रैपिड थर्मल एनीलिंग (RTA) उपकरण का काम करता है। सब्सट्रेट को उच्च शुद्धता वाले आइसोस्टैटिक ग्रेफाइट से तैयार किया जाता है, जिसके ऊपर एक घनी सीवीडी सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) परत जमा होती है। यह निर्माण उच्च तापीय चालकता, मजबूत रासायनिक जड़ता और बार-बार उच्च तापमान चक्रण के तहत निरंतर आयामी स्थिरता उत्पन्न करता है।
तीन-टुकड़ा ग्रेफाइट क्रूसिबल

तीन-टुकड़ा ग्रेफाइट क्रूसिबल

सेमीकंडक्टर क्रिस्टल विकास अनुप्रयोगों की मांग के लिए, VETEK थ्री-पीस ग्रेफाइट क्रूसिबल प्रक्रिया के लिए आवश्यक स्थिरता, शुद्धता और थर्मल समरूपता प्रदान करता है। उच्च ग्रेड आइसोस्टैटिक ग्रेफाइट से निर्मित - वैकल्पिक SiC, TaC, या PyC कोटिंग्स के साथ - इसका विभाजित डिज़ाइन केवल सुविधा के लिए नहीं है। यह सक्रिय रूप से थर्मल तनाव को कम करता है, रखरखाव को तेज़ बनाता है, और चक्र दर चक्र कार्य करता रहता है।
पीजी (पाइरोलाइटिक ग्रेफाइट) लेपित अंगूठी

पीजी (पाइरोलाइटिक ग्रेफाइट) लेपित अंगूठी

VETEK PG (पाइरोलाइटिक ग्रेफाइट) कोटेड रिंग को सेमीकंडक्टर थर्मल फील्ड और क्रिस्टल विकास वातावरण के लिए बनाया गया है, जहां समान गर्मी वितरण और स्थिर तापमान पर समझौता नहीं किया जा सकता है। उच्च शुद्धता वाले ग्रेफाइट बेस से शुरू होकर घने पायरोलाइटिक ग्रेफाइट कोटिंग के साथ समाप्त होने पर, यह घटक असाधारण थर्मल चालकता प्रदान करता है, गंभीर थर्मल झटके का सामना करता है, और अत्यधिक तापमान पर लंबे समय तक अपने आयामों को बरकरार रखता है। आप इन छल्लों को क्रिस्टल ग्रोथ भट्टियों, उच्च तापमान वाले ओवन और अर्धचालकों के लिए थर्मल फील्ड असेंबलियों में बड़े पैमाने पर उपयोग करते हुए पाएंगे - कहीं भी सटीक तापमान नियंत्रण सीधे प्रक्रिया की पुनरावृत्ति और अंतिम उत्पाद की गुणवत्ता को संचालित करता है।
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