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ठोस सिलिकॉन कार्बाइड

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सिलिकॉन कार्बाइड शावर हेड

सिलिकॉन कार्बाइड शावर हेड

सिलिकॉन कार्बाइड शावर हेड में उत्कृष्ट उच्च तापमान सहिष्णुता, रासायनिक स्थिरता, तापीय चालकता और अच्छी गैस वितरण प्रदर्शन होता है, जो समान गैस वितरण को प्राप्त कर सकता है और फिल्म की गुणवत्ता में सुधार कर सकता है। इसलिए, यह आमतौर पर उच्च तापमान प्रक्रियाओं जैसे रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) या भौतिक वाष्प जमाव (पीवीडी) प्रक्रियाओं में उपयोग किया जाता है। हमारे लिए अपने आगे के परामर्श का स्वागत करें, वेटेक सेमीकंडक्टर।
सिलिकॉन कार्बाइड सील रिंग

सिलिकॉन कार्बाइड सील रिंग

चीन में एक पेशेवर सिलिकॉन कार्बाइड सील रिंग उत्पाद निर्माता और कारखाने के रूप में, वेटेक सेमीकंडक्टर सिलिकॉन कार्बाइड सील रिंग का व्यापक रूप से अर्धचालक प्रसंस्करण उपकरणों में इसका उपयोग किया जाता है, जो इसके उत्कृष्ट गर्मी प्रतिरोध, संक्षारण प्रतिरोध, यांत्रिक शक्ति और तापीय चालकता के कारण होता है। यह विशेष रूप से उच्च तापमान और प्रतिक्रियाशील गैसों जैसे कि सीवीडी, पीवीडी और प्लाज्मा नक़्क़ाशी से जुड़ी प्रक्रियाओं के लिए उपयुक्त है, और अर्धचालक विनिर्माण प्रक्रिया में एक महत्वपूर्ण सामग्री पसंद है। आपकी आगे की पूछताछ का स्वागत है।
सीवीडी एसआईसी लेपित आरटीपी सुसेप्टर

सीवीडी एसआईसी लेपित आरटीपी सुसेप्टर

VeTek सेमीकंडक्टर से CVD SiC लेपित RTP ससेप्टर सेमीकंडक्टर निर्माण में उपयोग किए जाने वाले रैपिड थर्मल प्रोसेसिंग (RTP) और रैपिड थर्मल एनीलिंग (RTA) उपकरण का काम करता है। The substrate is machined from high‑purity isostatic graphite, over which a dense CVD silicon carbide (SiC) layer is deposited. यह निर्माण उच्च तापीय चालकता, मजबूत रासायनिक जड़ता और बार-बार उच्च तापमान चक्रण के तहत निरंतर आयामी स्थिरता उत्पन्न करता है।
Sic क्रिस्टल ग्रोथ के लिए CVD SIC ब्लॉक

Sic क्रिस्टल ग्रोथ के लिए CVD SIC ब्लॉक

SIC क्रिस्टल ग्रोथ के लिए CVD SIC ब्लॉक, वेटेक सेमीकंडक्टर द्वारा विकसित एक नया उच्च शुद्धता कच्चा माल है। इसमें एक उच्च इनपुट-आउटपुट अनुपात है और यह उच्च गुणवत्ता वाले, बड़े आकार के सिलिकॉन कार्बाइड सिंगल क्रिस्टल को बढ़ा सकता है, जो आज बाजार में उपयोग किए जाने वाले पाउडर को बदलने के लिए दूसरी पीढ़ी की सामग्री है। तकनीकी मुद्दों पर चर्चा करने के लिए आपका स्वागत है।
Sic क्रिस्टल विकास नई प्रौद्योगिकी

Sic क्रिस्टल विकास नई प्रौद्योगिकी

वेटेक सेमीकंडक्टर की अल्ट्रा-हाई प्यूरीिटी सिलिकॉन कार्बाइड (एसआईसी) को रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) द्वारा गठित किया जाता है, जिसे भौतिक वाष्प परिवहन (पीवीटी) द्वारा बढ़ते सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल के लिए एक स्रोत सामग्री के रूप में उपयोग करने की सिफारिश की जाती है। SIC क्रिस्टल ग्रोथ नई तकनीक में, स्रोत सामग्री को एक क्रूसिबल में लोड किया गया है और एक बीज क्रिस्टल पर उच्चतर किया गया है। उच्च शुद्धता CVD-SIC ब्लॉकों का उपयोग SIC क्रिस्टल के बढ़ने के लिए एक स्रोत के रूप में करें। हमारे साथ एक साझेदारी स्थापित करने के लिए आपका स्वागत है।
Cvd sic शावर सिर

Cvd sic शावर सिर

वेटेक सेमीकंडक्टर चीन में एक प्रमुख सीवीडी एसआईसी शॉवर हेड निर्माता और इनोवेटर है। हम कई वर्षों से एसआईसी सामग्री में विशिष्ट हैं। सीवीडी एसआईसी शॉवर हेड को अपनी उत्कृष्ट थर्मोकेमिकल स्थिरता, उच्च यांत्रिक शक्ति और प्लाज्मा कटाव के लिए प्रतिरोध के कारण एक फोकस रिंग सामग्री के रूप में चुना जाता है। हम चीन में आपका दीर्घकालिक भागीदार बनने के लिए तत्पर हैं।

Veteksemicon solid silicon carbide is the ideal procurement material for high-temperature, high-strength, and corrosion-resistant components used in semiconductor and industrial applications. As a fully dense, monolithic ceramic, solid silicon carbide (SiC) offers unmatched mechanical rigidity, extreme thermal conductivity, and exceptional chemical durability in harsh processing environments. Veteksemicon’s solid SiC is specifically developed for critical structural applications such as SiC wafer carriers, cantilever paddles, susceptors, and showerheads in semiconductor equipment.


Manufactured through pressureless sintering or reaction bonding, our solid silicon carbide parts exhibit excellent wear resistance and thermal shock performance, even at temperatures above 1600°C. These properties make solid SiC the preferred material for CVD/PECVD systems, diffusion furnaces, and oxidation furnaces, where long-term thermal stability and purity are essential.


Veteksemicon also offers custom-machined SiC parts, enabling tight dimensional tolerances, high surface quality, and application-specific geometries. Additionally, solid SiC is non-reactive in both oxidizing and reducing atmospheres, enhancing its suitability for plasma, vacuum, and corrosive gas environments.


To explore our full range of solid silicon carbide components and discuss your project specifications, please visit the Veteksemicon product detail page or contact us for technical support and quotations.


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