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टीएसी कोटिंग गाइड रिंग्स
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टीएसी कोटिंग गाइड रिंग्स

चीन में टीएसी कोटिंग गाइड रिंग्स प्रोडक्ट्स के एक प्रमुख निर्माता के रूप में, वेटेक सेमीकंडक्टर टीएसी लेपित गाइड रिंग्स MOCVD उपकरणों में महत्वपूर्ण घटक हैं, जो एपिटैक्सियल ग्रोथ के दौरान सटीक और स्थिर गैस डिलीवरी सुनिश्चित करते हैं, और अर्धचालक एपिटैक्सियल ग्रोथ में एक अपरिहार्य सामग्री हैं। हमसे परामर्श करने के लिए आपका स्वागत है।

टीएसी कोटिंग गाइड रिंग्स का कार्य:


सटीक गैस प्रवाह नियंत्रण:टीएसी कोटिंग गाइड रिंगरणनीतिक रूप से गैस इंजेक्शन प्रणाली के भीतर तैनात हैMOCVD रिएक्टर। इसका प्राथमिक कार्य अग्रदूत गैसों के प्रवाह को निर्देशित करना है और सब्सट्रेट वेफर सतह पर उनके समान वितरण को सुनिश्चित करना है। गैस प्रवाह की गतिशीलता पर यह सटीक नियंत्रण समान एपिटैक्सियल लेयर ग्रोथ और वांछित भौतिक गुणों को प्राप्त करने के लिए आवश्यक है।

थर्मल प्रबंधन: TAC कोटिंग गाइड के छल्ले अक्सर गर्म तापमान पर संचालित होते हैं, जो गर्म सूसोसेप्टर और सब्सट्रेट से निकटता के कारण होता है। TAC की उत्कृष्ट थर्मल चालकता गर्मी को प्रभावी ढंग से फैलाने में मदद करती है, स्थानीयकृत ओवरहीटिंग को रोकती है और प्रतिक्रिया क्षेत्र के भीतर एक स्थिर तापमान प्रोफ़ाइल को बनाए रखता है।


MOCVD में TAC के लाभ:


अत्यधिक तापमान प्रतिरोध: TAC 3800 ° C से अधिक, सभी सामग्रियों में सबसे अधिक पिघलने वाले बिंदुओं में से एक का दावा करता है।

बकाया रासायनिक जड़ता: TAC MOCVD में उपयोग की जाने वाली प्रतिक्रियाशील अग्रदूत गैसों से संक्षारण और रासायनिक हमले के लिए असाधारण प्रतिरोध प्रदर्शित करता है, जैसे कि अमोनिया, सिलने और विभिन्न धातु-कार्बनिक यौगिक।


के भौतिक गुणटीएसी कोटिंग:

के भौतिक गुणटीएसी कोटिंग
घनत्व
14.3 (जी/सेमी))
विशिष्ट उत्सर्जन
0.3
थर्मल विस्तार गुणांक
6.3*10-6/K
कठोरता (एचके)
2000 एचके
प्रतिरोध
1 × 10-5ओम*सेमी
तापीय स्थिरता
<2500 ℃
ग्रेफाइट आकार बदलता है
-10 ~ -20UM
कोटिंग मोटाई
≥20um ठेठ मान (35UM ± 10UM)


MOCVD प्रदर्शन के लिए लाभ:


MOCVD उपकरण में Vetek सेमीकंडक्टर TAC कोटिंग गाइड रिंग का उपयोग में महत्वपूर्ण योगदान देता है:

बढ़ा हुआ उपकरण अपटाइम: TAC कोटिंग गाइड रिंग का स्थायित्व और विस्तारित जीवनकाल लगातार प्रतिस्थापन की आवश्यकता को कम करता है, रखरखाव डाउनटाइम को कम करता है और MOCVD प्रणाली की परिचालन दक्षता को अधिकतम करता है।

बढ़ाया प्रक्रिया स्थिरता: TAC की थर्मल स्थिरता और रासायनिक जड़ता MOCVD कक्ष के भीतर एक अधिक स्थिर और नियंत्रित प्रतिक्रिया वातावरण में योगदान करती है, प्रक्रिया विविधताओं को कम करती है और प्रतिलिपि प्रस्तुत करने योग्यता में सुधार करती है।

बेहतर एपिटैक्सियल परत एकरूपता: टीएसी कोटिंग गाइड रिंग्स द्वारा सुगम सटीक गैस प्रवाह नियंत्रण एक समान अग्रदूत वितरण सुनिश्चित करता है, जिसके परिणामस्वरूप अत्यधिक समान हैएपिटैक्सियल परत वृद्धिलगातार मोटाई और रचना के साथ।


टैंटलम कार्बाइड (टीएसी) कोटिंगएक सूक्ष्म क्रॉस-सेक्शन पर:

Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 1Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 2Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 3Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 4


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