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उच्च शुद्धता cvd sic कच्चा माल
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उच्च शुद्धता cvd sic कच्चा माल

CVD द्वारा तैयार उच्च शुद्धता CVD SIC कच्चे माल भौतिक वाष्प परिवहन द्वारा सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल विकास के लिए सबसे अच्छा स्रोत सामग्री है। वेटेक सेमीकंडक्टर द्वारा आपूर्ति की गई उच्च शुद्धता cvd sic कच्चे माल का घनत्व SI और C- युक्त गैसों के सहज दहन द्वारा गठित छोटे कणों की तुलना में अधिक है, और इसके लिए एक समर्पित सिन्टरिंग भट्टी की आवश्यकता नहीं होती है और लगभग निरंतर वाष्पीकरण दर होती है। यह अत्यधिक उच्च गुणवत्ता वाले Sic सिंगल क्रिस्टल को बढ़ा सकता है। आपकी जांच के लिए आगे देख रहे हैं।

सौदा अर्धविरामSic सिंगल क्रिस्टल कच्चा माल- उच्च शुद्धता cvd sic कच्चे माल। यह उत्पाद घरेलू अंतर को भरता है और विश्व स्तर पर अग्रणी स्तर पर भी है, और प्रतियोगिता में एक दीर्घकालिक अग्रणी स्थिति में होगा। पारंपरिक सिलिकॉन कार्बाइड कच्चे माल उच्च शुद्धता वाले सिलिकॉन की प्रतिक्रिया से उत्पन्न होते हैं औरग्रेफाइट, जो लागत में उच्च हैं, शुद्धता में कम और आकार में छोटे हैं। 


वेटेक सेमीकंडक्टर की द्रवित बेड तकनीक रासायनिक वाष्प जमाव के माध्यम से सिलिकॉन कार्बाइड कच्चे माल को उत्पन्न करने के लिए मिथाइलट्रिक्लोरोसिलन का उपयोग करती है, और मुख्य उप-उत्पाद हाइड्रोक्लोरिक एसिड है। हाइड्रोक्लोरिक एसिड क्षार के साथ बेअसर करके लवण बना सकता है, और पर्यावरण के लिए किसी भी प्रदूषण का कारण नहीं होगा। इसी समय, मेथिलट्राइक्लोरोसिलन एक व्यापक रूप से उपयोग की जाने वाली औद्योगिक गैस है जिसमें कम लागत और व्यापक स्रोत हैं, विशेष रूप से चीन मिथाइलट्रिक्लोरोसिलन का मुख्य उत्पादक है। इसलिए, वेटेक सेमीकंडक्टर की उच्च शुद्धता cvd sic कच्चे माल की लागत और गुणवत्ता के मामले में अंतर्राष्ट्रीय अग्रणी प्रतिस्पर्धा है। उच्च शुद्धता cvd sic कच्चे माल की शुद्धता से अधिक है99.9995%.


उच्च शुद्धता cvd sic कच्चे माल के लाभ

High purity CVD SiC raw materials

 ● बड़े आकार और उच्च घनत्व

औसत कण आकार लगभग 4-10 मिमी है, और घरेलू एसेसन कच्चे माल का कण आकार <2.5 मिमी है। एक ही वॉल्यूम क्रूसिबल 1.5 किलोग्राम से अधिक कच्चे माल को पकड़ सकता है, जो बड़े आकार के क्रिस्टल विकास सामग्री की अपर्याप्त आपूर्ति की समस्या को हल करने के लिए अनुकूल है, कच्चे माल के ग्राफिटाइजेशन को कम करता है, कार्बन रैपिंग को कम करता है और क्रिस्टल की गुणवत्ता में सुधार करता है।


 ●कम सी/सी अनुपात

यह स्व-प्रसारित करने की विधि के Acheson कच्चे माल की तुलना में 1: 1 के करीब है, जो SI आंशिक दबाव की वृद्धि से प्रेरित दोषों को कम कर सकता है।


 ●उच्च आउटपुट मूल्य

विकसित कच्चे माल अभी भी प्रोटोटाइप को बनाए रखते हैं, पुनरावृत्ति को कम करते हैं, कच्चे माल के ग्राफिटाइजेशन को कम करते हैं, कार्बन रैपिंग दोषों को कम करते हैं, और क्रिस्टल की गुणवत्ता में सुधार करते हैं।


उच्च शुद्धता

सीवीडी विधि द्वारा उत्पादित कच्चे माल की शुद्धता आत्म-प्रसार विधि के एसेसन कच्चे माल की तुलना में अधिक है। नाइट्रोजन सामग्री अतिरिक्त शुद्धि के बिना 0.09ppm तक पहुंच गई है। यह कच्चा माल भी अर्ध-संधक क्षेत्र में एक महत्वपूर्ण भूमिका निभा सकता है।

High purity CVD SiC raw material for SiC Single Crystalकम लागत

एक समान वाष्पीकरण दर प्रक्रिया और उत्पाद की गुणवत्ता नियंत्रण की सुविधा प्रदान करती है, जबकि कच्चे माल की उपयोग दर में सुधार (उपयोग दर> 50%, 4.5 किलोग्राम कच्चा माल 3.5 किग्रा इनकोट्स का उत्पादन करता है), लागत को कम करता है।


 ●कम मानवीय त्रुटि दर

रासायनिक वाष्प जमाव मानव संचालन द्वारा शुरू की गई अशुद्धियों से बचा जाता है।


उच्च शुद्धता cvd sic कच्चा माल एक नई पीढ़ी का उत्पाद है जिसका उपयोग बदलने के लिए किया जाता हैSic सिंगल क्रिस्टल उगाने के लिए sic पाउडर। उगाए गए sic सिंगल क्रिस्टल की गुणवत्ता बहुत अधिक है। वर्तमान में, वेटेक सेमीकंडक्टर ने इस तकनीक को पूरी तरह से महारत हासिल की है। और यह पहले से ही इस उत्पाद को बहुत ही लाभप्रद कीमत पर बाजार में आपूर्ति करने में सक्षम है।


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