सिसक कोटेड बैरल सूस्विनर

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VeTek सेमीकंडक्टर SiC कोटेड बैरल ससेप्टर मुख्य रूप से LPE Si EPI रिएक्टरों के लिए उपयोग किया जाता है

एलपीई (लिक्विड फेज़ एपिटैक्सी) सिलिकॉन एपिटैक्सी सिलिकॉन सब्सट्रेट्स पर सिंगल-क्रिस्टल सिलिकॉन की पतली परतें जमा करने के लिए आमतौर पर इस्तेमाल की जाने वाली सेमीकंडक्टर एपिटैक्सियल ग्रोथ तकनीक है। यह क्रिस्टल वृद्धि प्राप्त करने के लिए एक समाधान में रासायनिक प्रतिक्रियाओं पर आधारित एक तरल-चरण विकास विधि है।

LPE सिलिकॉन एपिटैक्सी के मूल सिद्धांत में सब्सट्रेट को वांछित सामग्री से युक्त समाधान में डुबोना, तापमान और समाधान संरचना को नियंत्रित करना, समाधान में सामग्री को एकल-क्रिस्टल सिलिकॉन परत के रूप में बढ़ने की अनुमति देता है सब्सट्रेट सतह पर। एपिटैक्सियल ग्रोथ के दौरान विकास की स्थिति और समाधान संरचना को समायोजित करके, वांछित क्रिस्टल गुणवत्ता, मोटाई और डोपिंग एकाग्रता प्राप्त की जा सकती है।

LPE सिलिकॉन एपिटैक्सी कई विशेषताओं और फायदे प्रदान करता है। सबसे पहले, यह अपेक्षाकृत कम तापमान पर किया जा सकता है, सामग्री में थर्मल तनाव और अशुद्धता प्रसार को कम कर सकता है। दूसरे, LPE सिलिकॉन एपिटैक्सी उच्च एकरूपता और उत्कृष्ट क्रिस्टल गुणवत्ता प्रदान करता है, जो उच्च-प्रदर्शन अर्धचालक उपकरणों के निर्माण के लिए उपयुक्त है। इसके अतिरिक्त, LPE प्रौद्योगिकी जटिल संरचनाओं के विकास को सक्षम करती है, जैसे कि बहुपरत और हेटरोस्ट्रक्चर।

एलपीई सिलिकॉन एपिटेक्सी में, सीआईसी कोटेड बैरल ससेप्टर एक महत्वपूर्ण एपिटैक्सियल घटक है। इसका उपयोग आम तौर पर तापमान और वातावरण नियंत्रण प्रदान करते हुए एपिटैक्सियल विकास के लिए आवश्यक सिलिकॉन सब्सट्रेट्स को पकड़ने और समर्थन करने के लिए किया जाता है। SiC कोटिंग एपिटैक्सियल विकास प्रक्रिया की आवश्यकताओं को पूरा करते हुए, रिसेप्टर के उच्च तापमान स्थायित्व और रासायनिक स्थिरता को बढ़ाती है। SiC कोटेड बैरल ससेप्टर का उपयोग करके, एपिटैक्सियल वृद्धि की दक्षता और स्थिरता में सुधार किया जा सकता है, जिससे उच्च गुणवत्ता वाली एपिटैक्सियल परतों का विकास सुनिश्चित होता है।

सीवीडी एसआईसी कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण

सीवीडी एसआईसी फिल्म क्रिस्टल संरचना

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