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सिलिकॉन एपिटैक्सी, ईपीआई, एपिटैक्सी, एपिटैक्सियल एक ही क्रिस्टल दिशा के साथ क्रिस्टल की एक परत की वृद्धि और एक ही क्रिस्टलीय सिलिकॉन सब्सट्रेट पर अलग -अलग क्रिस्टल मोटाई के विकास को संदर्भित करता है। अर्धचालक असतत घटकों और एकीकृत सर्किट के निर्माण के लिए एपिटैक्सियल ग्रोथ तकनीक की आवश्यकता होती है, क्योंकि अर्धचालकों में निहित अशुद्धियों में एन-प्रकार और पी-प्रकार शामिल हैं। विभिन्न प्रकारों के संयोजन के माध्यम से, अर्धचालक उपकरण विभिन्न प्रकार के कार्यों को प्रदर्शित करते हैं।
सिलिकॉन एपिटैक्सी ग्रोथ मेथड को गैस चरण एपिटैक्सी, लिक्विड फेज एपिटैक्सी (एलपीई) में विभाजित किया जा सकता है, सॉलिड फेज एपिटैक्सी, रासायनिक वाष्प डिपोजिशन ग्रोथ विधि का व्यापक रूप से जाली अखंडता को पूरा करने के लिए दुनिया में उपयोग किया जाता है।
विशिष्ट सिलिकॉन एपिटैक्सियल उपकरण इतालवी कंपनी LPE द्वारा दर्शाया गया है, जिसमें पैनकेक एपिटैक्सियल हाई pnotic tor, बैरल प्रकार HY pnotic Tor, Semiconductor Hy pnotic, वेफर वाहक और इतने पर है। बैरल के आकार के एपिटैक्सियल हाई पेल्टर रिएक्शन चैंबर का योजनाबद्ध आरेख निम्नानुसार है। वेटेक सेमीकंडक्टर बैरल के आकार का वेफर एपिटैक्सियल हाई पेल्टर प्रदान कर सकता है। SIC कोटेड Hy Pelector की गुणवत्ता बहुत परिपक्व है। एसजीएल के बराबर गुणवत्ता; इसी समय, वेटेक सेमीकंडक्टर सिलिकॉन एपिटैक्सियल रिएक्शन कैविटी क्वार्ट्ज नोजल, क्वार्ट्ज बाफ़ल, बेल जार और अन्य पूर्ण उत्पाद भी प्रदान कर सकता है।
ईपीआई के लिए एसआईसी लेपित ग्रेफाइट बैरल सूसो
सिसक कोटेड बैरल सूस्विनर
सीवीडी एसआईसी कोटेड बैरल सस्पेक्टर
एलपीई अगर ईपीआई समर्थक सेट
एसआईसी कोटिंग मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन एपिटैक्सियल ट्रे
LPE PE2061S के लिए SIC लेपित समर्थन
ग्रेफाइट घूर्णन समर्थन
Veteksemicon silicon epitaxy solutions are your strategic procurement choice for advanced semiconductor wafer processing, particularly in CMOS, power devices, and MEMS applications. As a key process in wafer engineering, silicon epitaxy (Si Epi) involves the precise deposition of a crystalline silicon layer on top of a polished silicon wafer, offering superior control of doping profiles, defect density, and layer thickness.
Veteksemicon provides epitaxy-ready susceptor parts and reactor components used in Epi CVD systems, supporting both atmospheric and reduced pressure processes. Our product lineup includes silicon epitaxy susceptors, carrier rings, and coated wafer holders, optimized for compatibility with tools from Applied Materials, ASM, and Tokyo Electron (TEL).
Silicon epitaxy plays a critical role in producing ultra-thin junctions, strained silicon layers, and high-voltage isolation structures. Our materials and parts are engineered for high-purity, uniform thermal distribution, and anti-contamination performance during n-type and p-type epitaxial growth.
Closely associated terms include epitaxial wafer, in-situ doping, epitaxy-ready SiC coatings, and epi reactor parts, which support the entire upstream and downstream process of silicon-based IC fabrication.
Discover more about Veteksemicon’s silicon epitaxy support solutions by visiting our product detail page or contacting us for technical consultation and part customization.
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