Sic कोटिंग के लिए Sic कोटिंग एक प्रमुख मुख्य सामग्री क्यों है?

सीवीडी उपकरणों में, सब्सट्रेट को सीधे धातु पर या केवल एपिटैक्सियल बयान के लिए एक आधार पर नहीं रखा जा सकता है, क्योंकि इसमें गैस प्रवाह की दिशा (क्षैतिज, ऊर्ध्वाधर), तापमान, दबाव, निर्धारण और गिरते प्रदूषकों जैसे विभिन्न कारक शामिल हैं। इसलिए, एक आधार की आवश्यकता होती है, और फिर सब्सट्रेट को डिस्क पर रखा जाता है, और फिर सीवीडी तकनीक का उपयोग करके सब्सट्रेट पर एपिटैक्सियल बयान किया जाता है। यह आधार हैSic लेपित ग्रेफाइट आधार.

एक मुख्य घटक के रूप में, ग्रेफाइट बेस में उच्च विशिष्ट शक्ति और मापांक, अच्छा थर्मल शॉक प्रतिरोध और संक्षारण प्रतिरोध होता है, लेकिन उत्पादन प्रक्रिया के दौरान, अवशिष्ट संक्षारक गैस और धातु कार्बनिक पदार्थ के कारण ग्रेफाइट को corroded और पाउडर किया जाएगा, और ग्रेफाइट बेस का सेवा जीवन बहुत कम हो जाएगा। इसी समय, गिरे हुए ग्रेफाइट पाउडर चिप में संदूषण का कारण होगा। की उत्पादन प्रक्रिया मेंसिलिकॉन कार्बाइड एपिटैक्सियल वेफर्स, ग्रेफाइट सामग्री के लिए लोगों की तेजी से कड़े उपयोग की आवश्यकताओं को पूरा करना मुश्किल है, जो इसके विकास और व्यावहारिक अनुप्रयोग को गंभीरता से प्रतिबंधित करता है। इसलिए, कोटिंग तकनीक बढ़ने लगी।

अर्धचालक उद्योग में एसआईसी कोटिंग के लाभ

कोटिंग के भौतिक और रासायनिक गुणों में उच्च तापमान प्रतिरोध और संक्षारण प्रतिरोध के लिए सख्त आवश्यकताएं होती हैं, जो सीधे उत्पाद की उपज और जीवन को प्रभावित करती हैं। SIC सामग्री में उच्च शक्ति, उच्च कठोरता, कम थर्मल विस्तार गुणांक और अच्छी तापीय चालकता है। यह एक महत्वपूर्ण उच्च तापमान संरचनात्मक सामग्री और उच्च तापमान अर्धचालक सामग्री है। इसे ग्रेफाइट बेस पर लागू किया जाता है। इसके फायदे हैं:

1) एसआईसी संक्षारण-प्रतिरोधी है और ग्रेफाइट बेस को पूरी तरह से लपेट सकता है। इसमें अच्छा घनत्व है और संक्षारक गैस से नुकसान से बचा जाता है।

2) SIC में ग्रेफाइट बेस के साथ उच्च तापीय चालकता और उच्च संबंध शक्ति है, यह सुनिश्चित करना कि कोटिंग कई उच्च तापमान और कम तापमान चक्रों के बाद गिरना आसान नहीं है।

3) एसआईसी में उच्च तापमान और संक्षारक वातावरण में कोटिंग की विफलता से बचने के लिए अच्छी रासायनिक स्थिरता है।

सीवीडी एसआईसी कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण

इसके अलावा, विभिन्न सामग्रियों के एपिटैक्सियल भट्टियों को विभिन्न प्रदर्शन संकेतकों के साथ ग्रेफाइट ट्रे की आवश्यकता होती है। ग्रेफाइट सामग्री के थर्मल विस्तार गुणांक के मिलान के लिए एपिटैक्सियल भट्ठी के विकास तापमान के अनुकूलन की आवश्यकता होती है। उदाहरण के लिए, का तापमानसिलिकॉन कार्बाइड एपिटैक्सीउच्च है, और उच्च थर्मल विस्तार गुणांक मिलान के साथ एक ट्रे की आवश्यकता है। SIC का थर्मल विस्तार गुणांक ग्रेफाइट के बहुत करीब है, जो इसे ग्रेफाइट बेस की सतह कोटिंग के लिए पसंदीदा सामग्री के रूप में उपयुक्त बनाता है।

SIC सामग्री में विभिन्न प्रकार के क्रिस्टल रूप होते हैं। सबसे आम 3 सी, 4 एच और 6 एच हैं। विभिन्न क्रिस्टल रूपों के sic के अलग -अलग उपयोग होते हैं। उदाहरण के लिए, 4H-SIC का उपयोग उच्च-शक्ति वाले उपकरणों के निर्माण के लिए किया जा सकता है; 6H-SIC सबसे स्थिर है और इसका उपयोग ऑप्टोइलेक्ट्रोनिक उपकरणों के निर्माण के लिए किया जा सकता है; 3C-SIC का उपयोग GAN एपिटैक्सियल लेयर्स का उत्पादन करने और GAN के समान संरचना के कारण SIC-GAN RF उपकरणों का निर्माण करने के लिए किया जा सकता है। 3C-SIC को आमतौर पर β-SIC के रूप में भी जाना जाता है। Β-SIC का एक महत्वपूर्ण उपयोग एक पतली फिल्म और कोटिंग सामग्री के रूप में है। इसलिए, β-SIC वर्तमान में कोटिंग के लिए मुख्य सामग्री है।

रासायनिक-संरचना

अर्धचालक उत्पादन में एक सामान्य उपभोज्य के रूप में, SIC कोटिंग का उपयोग मुख्य रूप से सब्सट्रेट, एपिटैक्सी में किया जाता है,ऑक्सीकरण प्रसार, नक़्क़ाशी और आयन आरोपण। कोटिंग के भौतिक और रासायनिक गुणों में उच्च तापमान प्रतिरोध और संक्षारण प्रतिरोध के लिए सख्त आवश्यकताएं होती हैं, जो सीधे उत्पाद की उपज और जीवन को प्रभावित करती हैं। इसलिए, एसआईसी कोटिंग की तैयारी महत्वपूर्ण है।